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コレクタ損失は、コレクタ電流とコレクタエミッタ間電圧による損失です。絶対最大定格に記載されているコレクタ損失は、そのトランジスタが許容できるコレクタ損失の最大値となります。

バイポーラトランジスタでは、コレクタに流すことができる最大電流(定格電流)が規定されています。定格電流に関するものは2つあり、「コレクタ電流(直流)IC」と「コレクタ電流(パルス)ICP」があります。

トランジスタの定格電圧は、「コレクタベース間電圧VCBO」・「コレクタエミッタ間電圧VCEO」・「エミッタベース間電圧VEBO」の3つあります。この記事では各定格電圧について解説しています。

エミッタ遮断電流IEBOとは、コレクタをオープンにして、エミッタ-ベース間のPN接合に逆電圧を印加したときの漏れ電流のことを指します。漏れ電流なので理想的にはゼロが望ましいです。

バイポーラトランジスタとは、N型半導体とP型半導体がサンドイッチの構造をしている素子です。ベースに小さなベース電流を流すと、その数十～数百倍のコレクタ電流が流れる特徴を持っています。

トランジション周波数fTとは、電流増幅率hFEが1になるときの周波数です。利得帯域幅積(GB積)は、電流増幅率hFEと周波数fの積の積であり、その値はトランジション周波数fTと等しくなります。

バイポーラトランジスタはベース-コレクタ間、ベース-エミッタに寄生容量があります。ベース-コレクタ間の寄生容量をコレクタ容量と呼び、ベース-エミッタ間の寄生容量をエミッタ容量と呼びます。

ベースエミッタ間飽和電圧VBE(sat)は、バイポーラトランジスタがオンの状態(飽和状態)におけるベースエミッタ間の電圧であり、VBE(sat)が小さいほど、電力損失が少なくなります。

コレクタエミッタ間飽和電圧VCE(sat)は、トランジスタがオンの状態におけるコレクタエミッタ間の電圧のことを指します。VCE(sat)が小さいほど、電力損失が少なくなります。

トライアックを用いて、位相制御する回路には、可変抵抗やコンデンサ等を用いて、トライアックを制御するアナログ方式とマイコンやスイッチを用いて、トライアックを制御するデジタル方式があります。