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トライアックは双方向に電流を流せる素子です。MT1端子を基準とし、MT2端子とゲート端子の電圧の正負によって、4つの動作モードがあります。この記事では各象限における動作原理を説明しています。

トライアックの静特性(電流電圧特性)において、横軸はトライアックにかかる電圧、縦軸はトライアックに流れる電流です。MT1を基準にしてMT2の電圧がプラスの時は横軸がプラス方向となります。

トライアックは、パワー半導体の一種であり、双方向の電流を1つのゲート電極で制御することができる素子です。トライアックは、双方向に電流を流せることから、交流電源の制御に広く用いられています。

MOSFETのゲートしきい値電圧とは、MOSFETをオンさせるために、必要なゲートソース間電圧VGSのことです。VGS(TH)、VTH、Vthなどで表されます。温度によって変化する特徴があります。

MOSFETの伝達特性(ID-VGS特性)とは、MOSFETの静特性の一種であり、ドレインソース間電圧VDSを一定とした時のドレイン電流IDとゲートソース間電圧VGSの特性のことです。

MOSFETの『出力特性(ID-VDS特性)』には3つの領域(線形領域、飽和領域、遮断領域)があります。また、線形領域と飽和領域の境界である電圧をピンチオフ電圧VPといいます。

横型構造のMOSFETは、ドレインからソースに横方向に電流が流れます。一方、縦型構造のMOSFETは、ドレインからソースに縦方向に電流が流れるため、オン抵抗が小さくなります。

MOSFETは耐圧が高くなるほど、オン抵抗が高くなる性質があります。すなわち、耐圧とオン抵抗がトレードオフの関係にあります。この記事ではトレードオフになる理由について説明しています。

プレーナ構造は、ウエハの表面にゲートが付いた構造をしています。一方、トレンチ構造は、ウエハの表面から溝を掘り、ゲート電極を埋め込んだ構造をしています。

静特性(IC-VCE特性)はコレクタ電流ICとコレクタエミッタ間電圧VCEの関係を示しており、ゲートエミッタ間電圧VGEによって特性が変わります。この特性は一般的に出力特性と呼ばれています。