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IGBTではターンオフの後半に電流が流れ出ている期間があります。この期間をテール期間といい、その時に流れている電流をテール電流と呼びます。英語では「Tail Current」と書きます。

IGBTとはパワー半導体の一種であり、大電力の高速スイッチングが可能なのが主な特徴です。MOSFETとバイポーラトランジスタの欠点を補った素子となっています。

伝導度変調とはIGBTのオン状態において、高抵抗のN-ドリフト層にP+コレクタ層のキャリアが注入されることで、N-ドリフト層の抵抗値が低下する現象です。

トランジスタは基本的にバイポーラトランジスタ(BJT)、電界効果トランジスタ(FET)、絶縁ゲートトランジスタ(IGBT)の3つの種類があります。この記事では、各種類の特徴と違いについて説明しています。

トランスのコアにはずれたり、とれてしまわないように接着剤を使用します。この接着剤にはエポキシ系接着剤、アクリル系接着剤、シリコーン系接着剤などが使用されます。

抵抗は多くの種類があります。低価格であり、最も使用されている抵抗は『カーボン抵抗』です。また、電流検出用には低抵抗かつ大電力でインダクタンスが小さい『金属板抵抗』を使用します。

バイポーラトランジスタを使用した増幅回路はどの端子を接地するかによって、『エミッタ接地回路』、『コレクタ接地回路』、『ベース接地回路』に分類されます。

ベース接地回路はバイポーラトランジスタを使用した増幅回路の1つです。電流利得は低いですが、電圧利得が高い回路となっています。ベース共通回路(Common Base)とも呼ばれています。

入力側から見ると、容量Cが等価的に容量が大きく見える現象を『ミラー効果』といいます。この時、大きく見える容量のことを『ミラー容量』といいます。

空間距離は「表2K：最小空間距離」および「表2L：追加空間距離」を用いて求めます。表2Kにおいて、行は『動作電圧(実効値)』、列は『主電源過渡電圧』と『汚損度』によって決まります。