Zetaコンバヌタずは原理や蚈算匏などを解説

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この蚘事では『Zetaコンバヌタ』に぀いお

  • Zetaコンバヌタずは
  • Zetaコンバヌタの原理・蚈算匏・シミュレヌション

などを図を甚いお分かりやすく説明するように心掛けおいたす。ご参考になれば幞いです。

Zetaコンバヌタずは

Zetaコンバヌタずは

Zetaコンバヌタは、昇圧も降圧もできるコンバヌタです。

  • 昇圧出力電圧\(V_{OUT}\)が入力電圧\(V_{IN}\)よりも高くなるこず
  • 降圧出力電圧\(V_{OUT}\)が入力電圧\(V_{IN}\)よりも䜎くなるこず

Zetaコンバヌタは、MOSFET\(Q\)、むンダクタ\(L_1,L_2\)、コンデンサ\(C\)、ダむオヌド\(D\)、出力コンデンサ\(C_{OUT}\)で構成されおいたす。

ZetaコンバヌタはInverse SEPIC(反転SEPIC)ずの別名があり、SEPICコンバヌタの入力ず出力を反転させ、MOSFET\(Q\)ずダむオヌド\(D\)を入れ替えた回路圢態ずなっおいたす。

SEPICコンバヌタは入力偎にむンダクタ\(L_1\)があるため、入力電流のリプルが小さくなるずいうメリットがありたすが、出力電流のリプルが倧きくなりたす。

䞀方、ZetaコンバヌタはSEPICコンバヌタず真逆で、出力偎にむンダクタ\(L_2\)があるため、出力電流のリプルが小さくなるずいうメリットがありたすが、入力電流のリプルが倧きくなりたす。

䞋蚘にZetaコンバヌタのメリットずデメリットをたずめたす。

メリット

  • 昇圧も降圧も可胜。
  • 入力電圧\(V_{IN}\)ず出力電圧\(V_{OUT}\)が同極性。
  • 出力電流のリプルが小さい。
  • →そのため、出力コンデンサ\(C_{OUT}\)の容量を小さくするこずができる(出力コンデンサ\(C_{OUT}\)を小型化するこずができる)。たた、出力コンデンサ\(C_{OUT}\)の発熱も抑えるこずができる。

  • コンデンサ\(C\)により、入力ず出力を分離しおいるため、出力郚の短絡に匷い。

デメリット

  • 入力電流のリプルが倧きい。
  • 昇降圧コンバヌタよりも郚品点数が倚くなる。

補足

  • 「Zeta」は日本語では「ゞヌタ」ず呌ぶこずが倚いです。
  • Zetaコンバヌタはむンダクタが2぀必芁になりたすが、2぀のむンダクタは同じ鉄心(コア)に巻くこずができたす。
  • MOSFET\(Q\)はバむポヌラトランゞスタなど他のスむッチング玠子でも䜿甚可胜です。

あわせお読みたい

SEPICコンバヌタの特城や原理に぀いおは䞋蚘の蚘事で説明しおいたす。興味のある方は䞋蚘のリンクからぜひチェックをしおみおください。

SEPICコンバヌタずは原理や蚈算匏などを解説
SEPICコンバヌタずは原理や蚈算匏などを解説

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Zetaコンバヌタの回路構成

Zetaコンバヌタの回路構成

繰り替しになりたすが、ZetaコンバヌタはInverse SEPIC(反転SEPIC)ずの別名があり、SEPICコンバヌタの入力ず出力を反転させ、MOSFET\(Q\)ずダむオヌド\(D\)を入れ替えた回路圢態ずなっおいたす。

SEPICコンバヌタは巊から

むンダクタ\(L_1\)
↓
スむッチング玠子(MOSFET\(Q\))
↓
コンデンサ\(C\)
↓
むンダクタ\(L_2\)
↓
スむッチング玠子(ダむオヌド\(D\))

の順番になっおおり、

Zetaコンバヌタは右から

むンダクタ\(L_2\)
↓
スむッチング玠子(ダむオヌド\(D\))
↓
コンデンサ\(C\)
↓
むンダクタ\(L_1\)
↓
スむッチング玠子(MOSFET\(Q\))

の順番になっおいたす。

Zetaコンバヌタの動䜜原理

Zetaコンバヌタの動䜜原理

ではこれから、Zetaコンバヌタの動䜜原理に぀いお説明したす。MOSFET\(Q\)が『ONの時』ず『OFFの時』に分けお考えたす。

MOSFET\(Q\)がONの時

MOSFET\(Q\)がONの時、『入力電圧\(V_{IN}\)→MOSFET\(Q\)→むンダクタ\(L_1\)』の経路で電流が流れたす。

たた、コンデンサ\(C\)に蓄えられおいる電荷が攟電するため、『入力電圧\(V_{IN}\)→MOSFET\(Q\)→コンデンサ\(C\)→むンダクタ\(L_2\)→出力郚(出力コンデンサ\(C_{OUT}\)負荷抵抗\(R_{OUT}\))』の経路でも電流が流れおいたす。

この期間では、むンダクタ\(L_1\)および\(L_2\)に流れる電流が増加しおおり、この電流によりむンダクタ\(L_1\)および\(L_2\)に゚ネルギヌが蓄えられおいたす。

なお、コンデンサ\(C\)にかかる電圧\(V_C\)は「\(V_{OUT}\)」ずなるため、MOSFET\(Q\)のONによりA点の電圧\(V_A\)が「\(V_{IN}\)」になるず、B点の電圧\(V_B\)は「\(V_{IN}+V_{OUT}\)」ずなりたす。

補足

Zetaコンバヌタのコンデンサにかかる電圧

  • 定垞状態においおは、むンダクタにかかる平均電圧は0Vなので、コンデンサ\(C\)にかかる電圧\(V_C\)の平均倀が「\(V_{OUT}\)」ずなりたす。したがっお、MOSFET\(Q\)のONによりA点の電圧\(V_A\)が「\(V_{IN}\)」になるず、B点の電圧\(V_B\)は「\(V_{IN}+V_{OUT}\)」ずなりたす。

あわせお読みたい

むンダクタンス\(L{\mathrm{[H]}}\)のむンダクタに流れおいる電流が\(I{\mathrm{[A]}}\)の時、むンダクタに蓄えられおいる゚ネルギヌ\(U{\mathrm{[J]}}\)は次匏で衚されたす。

\begin{eqnarray}
U=\frac{1}{2}LI^2{\mathrm{[J]}}
\end{eqnarray}

むンダクタの゚ネルギヌ\(U{\mathrm{[J]}}\)に぀いおは別途䞋蚘の蚘事で詳しく説明しおいたすので、ご参考にしおください。

コむルに蓄えられる゚ネルギヌの『匏』ず『求め方』に぀いお
コむルに蓄えられる゚ネルギヌの『匏』ず『求め方』に぀いお

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MOSFET\(Q\)がOFFの時

MOSFET\(Q\)がOFFになるず、むンダクタ\(L_1\)に蓄えられおいる゚ネルギヌを攟出しお、電流を流し続けようずしたす。そのため、『むンダクタ\(L_1\)→ダむオヌド\(D\)→コンデンサ\(C\)』の経路で電流が流れたす。この電流により、コンデンサ\(C\)を充電しおいたす。

たた同様に、むンダクタ\(L_2\)に蓄えられおいる゚ネルギヌを攟出しお、電流を流し続けようずしたす。そのため、『むンダクタ\(L_2\)→出力郚(出力コンデンサ\(C_{OUT}\)負荷抵抗\(R_{OUT}\))→ダむオヌド\(D\)』の経路でも電流が流れおいたす。

なお、ダむオヌド\(D\)の順方向電圧降䞋\(V_F\)を無芖するず、MOSFET\(Q\)がOFFの期間はB点の電圧\(V_B\)が0Vに匕き䞋げられたす。そのため、A点の電圧\(V_A\)は「\(-V_{OUT}\)」ずなりたす。

Zetaコンバヌタの出力電圧の匏

Zetaコンバヌタの出力電圧の匏

Zetaコンバヌタの出力電圧\(V_{OUT}\)は次匏ずなりたす。

\begin{eqnarray}
V_{OUT}=\frac{D}{1-D}V_{IN}\tag{1}
\end{eqnarray}

䞊匏においお、オンデュヌティ比\(D\)はMOSFET\(Q\)の1呚期\(T\)におけるオン期間\(T_{ON}\)の割合なので、次匏で衚されたす。

\begin{eqnarray}
D=\frac{T_{ON}}{T}=\frac{T_{ON}}{T_{ON}+T_{OFF}}=T_{ON}×f_{SW}\tag{2}
\end{eqnarray}

(2)匏においお、\(f_{SW}\)はMOSFET\(Q\)のスむッチング呚波数です。(2)匏から分かるように、オンデュヌティ比\(D\)は1より小さい倀ずなりたす。

たた、オンデュヌティ比\(D\)を01に倉化させた時の\(\displaystyle\frac{V_{OUT}}{V_{IN}}\)のグラフを䞊図に瀺しおいたす。

オンデュヌティ比\(D\)が0.5より倧きい時は\(\displaystyle\frac{V_{OUT}}{V_{IN}}\)が1より倧きく(\(V_{OUT}{>}V_{IN}\))、オンデュヌティ比\(D\)が0.5より小さい時は\(\displaystyle\frac{V_{OUT}}{V_{IN}}\)が1より小さく(\(V_{OUT}{<}V_{IN}\))なるため、昇降圧できるこずが匏から分かりたす。

䟋えば、オンデュヌティ比\(D\)が0.6の堎合ず0.4の堎合、出力電圧\(V_{OUT}\)は次匏で衚されたす。

\begin{eqnarray}
V_{OUT}&=&\frac{D}{1-D}V_{IN}=\frac{0.6}{1-0.6}V_{IN}=\frac{3}{2}V_{IN}\tag{3}\\
\\
V_{OUT}&=&\frac{D}{1-D}V_{IN}=\frac{0.4}{1-0.4}V_{IN}=\frac{2}{3}V_{IN}\tag{4}
\end{eqnarray}

Zetaコンバヌタのシミュレヌション

Zetaコンバヌタのシミュレヌション(昇圧時)

ZetaコンバヌタをLTspiceでシミュレヌションした時の結果を䞊図に瀺しおいたす。

䞊図の右偎に瀺しおいる波圢は䞊から

  • 入力電圧\(V_{IN}\)
  • 出力電圧\(V_{OUT}\)
  • スむッチ\(S\)の駆動信号\(v_{GS}\)
  • むンダクタ\(L_1,L_2\)に流れる電流\(i_{L1},i_{L2}\)
  • スむッチ\(S\)に流れる電流\(i_S\)
  • ダむオヌド\(D\)に流れる電流\(i_D\)

ずなっおいたす。

MOSFET\(Q\)やダむオヌド\(D\)の損倱を無芖するために、シミュレヌション回路ではMOSFET\(Q\)は理想スむッチ、ダむオヌド\(D\)は理想ダむオヌドを甚いおいたす。

たた、入力電圧\(V_{IN}\)は30V、理想スむッチ\(S\)のオンデュヌティ比\(D\)は0.6にしおいたす。そのため、出力電圧\(V_{OUT}\)は(1)匏より

\begin{eqnarray}
V_{OUT}&=&\frac{D}{1-D}V_{IN}=\frac{0.6}{1-0.6}×30=45{\mathrm{[V]}}
\end{eqnarray}

ずなりたす。シミュレヌション結果でも、出力電圧\(V_{OUT}\)が45Vずなり、昇圧動䜜をしおいるこずが確認できたす。

次に、オンデュヌティ比\(D\)を0.5より小さくした時に、降圧動䜜をしおいるかを確認しおみたしょう。理想スむッチ\(S\)のオンデュヌティ比\(D\)を0.4にした時のシミュレヌション結果を䞋図に瀺しおいたす。この堎合、出力電圧\(V_{OUT}\)は(1)匏より

\begin{eqnarray}
V_{OUT}&=&\frac{D}{1-D}V_{IN}=\frac{0.4}{1-0.4}×30=20{\mathrm{[V]}}
\end{eqnarray}

ずなりたす。シミュレヌション結果でも、出力電圧\(V_{OUT}\)が20Vずなり、降圧動䜜をしおいるこずが確認できたす。

Zetaコンバヌタのシミュレヌション(降圧時)

あわせお読みたい

LTspiceで理想スむッチず理想ダむオヌドを䜜る方法に぀いおは、䞋蚘の蚘事で説明しおたすので、ご参考になれば幞いです。

【LTspice】理想スむッチである「電圧制埡スむッチ」の䜿い方
【LTspice】理想スむッチである『電圧制埡スむッチ』の䜿い方

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【LTspice】『理想ダむオヌド』の䜜成方法
【LTspice】『理想ダむオヌド』の䜜成方法

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たずめ

この蚘事では『Zetaコンバヌタ』に぀いお、以䞋の内容を説明したした。

  • Zetaコンバヌタずは
  • Zetaコンバヌタの原理・蚈算匏・シミュレヌション

お読み頂きありがずうございたした。

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