Cukコンバータとは？原理や計算式などを解説！

この記事では『Cukコンバータ』について

などを図を用いて分かりやすく説明するように心掛けています。ご参考になれば幸いです。

Cukコンバータとは

Cukコンバータは、昇圧も降圧もできるコンバータです。

Cukコンバータは、MOSFET\(Q\)、インダクタ\(L_1,L_2\)、コンデンサ\(C\)、ダイオード\(D\)、出力コンデンサ\(C_{OUT}\)で構成されています。

昇圧も降圧もできるコンバータとしては、上図に示す昇降圧コンバータが有名ですが、昇降圧コンバータは「入力と出力のリプルが大きい」という特徴がありました。

一方、Cukコンバータは昇降圧コンバータと比較すると、インダクタとコンデンサが1つずつ多く必要となりますが、入力部にインダクタ\(L_1\)、出力部にインダクタ\(L_2\)があるため、入力と出力のリプルを小さくすることができます。

下記にCukコンバータのメリットとデメリットをまとめます。

Cukコンバータの回路構成

SEPICコンバータのインダクタ\(L_2\)とダイオード\(D\)の位置を入れ替えるとCukコンバータとなります。

SEPICコンバータは「入力電圧\(V_{IN}\)と出力電圧\(V_{OUT}\)が同極性」というメリットがありますが、「出力コンデンサに流れる電流のリプルが大きい」というデメリットがあります。

一方、Cukコンバータは入力電圧\(V_{IN}\)と出力電圧\(V_{OUT}\)は逆極性になりますが、平滑部にあるインダクタ\(L_2\)により、出力コンデンサに流れる電流のリプルを抑えることができます。

Cukコンバータの動作原理

ではこれから、Cukコンバータの動作原理について説明します。MOSFET\(Q\)が『ONの時』と『OFFの時』に分けて考えます。

MOSFET\(Q\)がONの時

MOSFET\(Q\)がONの時、『入力電圧\(V_{IN}\)→インダクタ\(L_1\)→MOSFET\(Q\)』の経路で電流が流れます。

また、コンデンサ\(C\)に蓄えられている電荷が放電するため、『コンデンサ\(C\)→MOSFET\(Q\)→出力部(出力コンデンサ\(C_{OUT}\)＋負荷抵抗\(R_{OUT}\))→インダクタ\(L_2\)』の経路でも電流が流れています。

この期間では、インダクタ\(L_1\)および\(L_2\)に流れる電流が増加しており、この電流によりインダクタ\(L_1\)および\(L_2\)にエネルギーが蓄えられています。

なお、コンデンサ\(C\)にかかる電圧\(V_C\)は「\(V_{IN}+V_{OUT}\)」となるため、MOSFET\(Q\)のONによりA点の電圧\(V_A\)が0Vに引き下げられると、B点の電圧\(V_B\)は「\(-(V_{IN}+V_{OUT})\)」となります。

MOSFET\(Q\)がOFFの時

MOSFET\(Q\)がOFFになると、インダクタ\(L_1\)に蓄えられているエネルギーを放出して、電流を流し続けようとします。そのため、『入力電圧\(V_{IN}\)→インダクタ\(L_1\)→コンデンサ\(C\)→ダイオード\(D\)』の経路で電流が流れます。

また同様に、インダクタ\(L_2\)に蓄えられているエネルギーを放出して、電流を流し続けようとします。そのため、『インダクタ\(L_2\)→ダイオード\(D\)→出力部(出力コンデンサ\(C_{OUT}\)＋負荷抵抗\(R_{OUT}\))』の経路でも電流が流れています。

なお、ダイオード\(D\)の順方向電圧降下\(V_F\)を無視すると、MOSFET\(Q\)がOFFの期間はB点の電圧\(V_B\)が0Vに引き下げられます。そのため、A点の電圧\(V_A\)は「\(V_{IN}+V_{OUT}\)」となります。

Cukコンバータの出力電圧の式

上図の矢印の向きに出力電圧\(V_{OUT}\)を置くと、Cukコンバータの出力電圧\(V_{OUT}\)は次式となります。

上式において、オンデューティ比\(D\)はMOSFET\(Q\)の1周期\(T\)におけるオン期間\(T_{ON}\)の割合なので、次式で表されます。

\begin{eqnarray}
D=\frac{T_{ON}}{T}=\frac{T_{ON}}{T_{ON}+T_{OFF}}=T_{ON}×f_{SW}\tag{2}
\end{eqnarray}

(2)式において、\(f_{SW}\)はMOSFET\(Q\)のスイッチング周波数です。(2)式から分かるように、オンデューティ比\(D\)は1より小さい値となります。

また、オンデューティ比\(D\)を0～1に変化させた時の\(\left|\displaystyle\frac{V_{OUT}}{V_{IN}}\right|\)のグラフを上図に示しています。

オンデューティ比\(D\)が0.5より大きい時は\(\left|\displaystyle\frac{V_{OUT}}{V_{IN}}\right|\)が1より大きく(\(|V_{OUT}|{>}|V_{IN}|\))、オンデューティ比\(D\)が0.5より小さい時は\(\left|\displaystyle\frac{V_{OUT}}{V_{IN}}\right|\)が1より小さく(\(|V_{OUT}|{<}|V_{IN}|\))なるため、昇降圧できることが式から分かります。

例えば、オンデューティ比\(D\)が0.6の場合と0.4の場合、出力電圧\(V_{OUT}\)は次式で表されます。

\begin{eqnarray}
V_{OUT}&=&-\frac{D}{1-D}V_{IN}=-\frac{0.6}{1-0.6}V_{IN}=-\frac{3}{2}V_{IN}\tag{3}\\
\\
V_{OUT}&=&-\frac{D}{1-D}V_{IN}=-\frac{0.4}{1-0.4}V_{IN}=-\frac{2}{3}V_{IN}\tag{4}
\end{eqnarray}

上式から分かるように、出力電圧\(V_{OUT}\)の式にマイナスがつきます。すなわち、Cukコンバータは昇降圧できますが、「入力と出力が反転する」という特徴があるので注意してください。

Cukコンバータのシミュレーション

CukコンバータをLTspiceでシミュレーションした時の結果を上図に示しています。

上図の右側に示している波形は上から

となっています。

MOSFET\(Q\)やダイオード\(D\)の損失を無視するために、シミュレーション回路ではMOSFET\(Q\)は理想スイッチ、ダイオード\(D\)は理想ダイオードを用いています。

また、入力電圧\(V_{IN}\)は30V、理想スイッチ\(S\)のオンデューティ比\(D\)は0.6にしています。そのため、出力電圧\(V_{OUT}\)は(1)式より

\begin{eqnarray}
V_{OUT}&=&-\frac{D}{1-D}V_{IN}=-\frac{0.6}{1-0.6}×30=-45{\mathrm{[V]}}
\end{eqnarray}

となります。シミュレーション結果でも、出力電圧\(V_{OUT}\)が－45Vとなり、昇圧動作をしていることが確認できます。

次に、オンデューティ比\(D\)を0.5より小さくした時に、降圧動作をしているかを確認してみましょう。理想スイッチ\(S\)のオンデューティ比\(D\)を0.4にした時のシミュレーション結果を下図に示しています。この場合、出力電圧\(V_{OUT}\)は(1)式より

\begin{eqnarray}
V_{OUT}&=&-\frac{D}{1-D}V_{IN}=-\frac{0.4}{1-0.4}×30=-20{\mathrm{[V]}}
\end{eqnarray}

となります。シミュレーション結果でも、出力電圧\(V_{OUT}\)が－20Vとなり、降圧動作をしていることが確認できます。

まとめ

この記事では『Cukコンバータ』について、以下の内容を説明しました。

お読み頂きありがとうございました。

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