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【トランジション周波数とは？】『利得帯域幅積(GB積)』との関係について
2020/6/13
トランジション周波数fTとは、電流増幅率hFEが1になるときの周波数です。利得帯域幅積(GB積)は、電流増幅率hFEと周波数fの積の積であり、その値はトランジション周波数fTと等しくなります。
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【トランジスタの寄生容量】コレクタ容量Cobとエミッタ容量Cibとは？
2020/6/13
バイポーラトランジスタはベース-コレクタ間、ベース-エミッタに寄生容量があります。ベース-コレクタ間の寄生容量をコレクタ容量と呼び、ベース-エミッタ間の寄生容量をエミッタ容量と呼びます。
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ベースエミッタ間飽和電圧VBE(sat)とは？『VBE(sat)-IC特性』などを解説！
2020/6/13
ベースエミッタ間飽和電圧VBE(sat)は、バイポーラトランジスタがオンの状態(飽和状態)におけるベースエミッタ間の電圧であり、VBE(sat)が小さいほど、電力損失が少なくなります。
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コレクタエミッタ間飽和電圧VCE(sat)とは？『VCE(sat)-IC特性』などを解説！
2020/6/13
コレクタエミッタ間飽和電圧VCE(sat)は、トランジスタがオンの状態におけるコレクタエミッタ間の電圧のことを指します。VCE(sat)が小さいほど、電力損失が少なくなります。
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MOSFETの『ゲートしきい値電圧』について！
2020/6/14
MOSFETのゲートしきい値電圧とは、MOSFETをオンさせるために、必要なゲートソース間電圧VGSのことです。VGS(TH)、VTH、Vthなどで表されます。温度によって変化する特徴があります。
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MOSFETの『伝達特性(ID-VGS特性)』について！
2020/6/14
MOSFETの伝達特性(ID-VGS特性)とは、MOSFETの静特性の一種であり、ドレインソース間電圧VDSを一定とした時のドレイン電流IDとゲートソース間電圧VGSの特性のことです。
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MOSFETの『出力特性』と『線形領域、飽和領域、遮断領域』について！
2020/6/14
MOSFETの『出力特性(ID-VDS特性)』には3つの領域(線形領域、飽和領域、遮断領域)があります。また、線形領域と飽和領域の境界である電圧をピンチオフ電圧VPといいます。
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【MOSFET】『横型構造』と『縦型構造』の違いと特徴について！
2020/6/14
横型構造のMOSFETは、ドレインからソースに横方向に電流が流れます。一方、縦型構造のMOSFETは、ドレインからソースに縦方向に電流が流れるため、オン抵抗が小さくなります。
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MOSFETの『耐圧』と『オン抵抗』の関係について！
2020/6/14
MOSFETは耐圧が高くなるほど、オン抵抗が高くなる性質があります。すなわち、耐圧とオン抵抗がトレードオフの関係にあります。この記事ではトレードオフになる理由について説明しています。
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【MOSFET】『プレーナ構造』と『トレンチ構造』の違いと特徴について！
2020/7/1
プレーナ構造は、ウエハの表面にゲートが付いた構造をしています。一方、トレンチ構造は、ウエハの表面から溝を掘り、ゲート電極を埋め込んだ構造をしています。
