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IGBTの『静特性(IC-VCE特性)』について!

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この記事では、IGBTの静特性(IC-VCE特性)について説明します。

IGBTの『静特性(IC-VCE特性)』

IGBTの『静特性(IC-VCE特性)』
上図にIGBTの『静特性(IC-VCE特性)』を示します。

静特性(IC-VCE特性)はコレクタ電流ICコレクタエミッタ間電圧VCEの関係を示しており、ゲートエミッタ間電圧VGEによって特性が変わります。言い換えると、静特性(IC-VCE特性)とは、あるゲートエミッタ間電圧VGEにおいて流すことが可能なコレクタ電流ICの能力を示したものになっています。

ゲートエミッタ間電圧VGEが大きいほど、あるコレクタ電流ICを流した時のコレクタエミッタ間電圧VCEが小さくなっています。IGBTをスイッチング用として使用する場合には、コレクタエミッタ間電圧VCEが小さい方が導通損失(PLOSS=IC×VCE)が小さくなるため、できるだけゲートエミッタ間電圧VGEを大きくして使用します。

また、IGBTはコレクタエミッタ間にPN接合があるため、静特性(IC-VCE特性)ではVCEがPN接合による接合電位(シリコンの場合、約0.6V)を超えると、コレクタ電流ICが立ち上がります。そのため、低い耐圧の領域では、MOSFETの方が有利となります。したがって、IGBTは主に600V以上の高い耐圧を必要とするアプリケーションでよく用いられます。

補足

IC-VCE特性は一般的に出力特性と呼ばれています。

まとめ

この記事ではIGBTの『静特性(IC-VCE特性)』について、以下の内容を説明しました。

当記事のまとめ

  • IGBTの『静特性(IC-VCE特性)』について
  • ゲートエミッタ間VCEがPN接合による接合電位(シリコンの場合、約0.6V)を超えると、コレクタ電流ICが立ち上がる。

お読み頂きありがとうございました。

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