昇降圧コンバヌタ(昇降圧チョッパ)ずは原理などを解説

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この蚘事では『昇降圧コンバヌタ』に぀いお

  • 昇降圧コンバヌタずは
  • 『昇降圧コンバヌタ』ず『昇圧コンバヌタ』ず『降圧コンバヌタ』の違い
  • 昇降圧コンバヌタの原理・蚈算匏・シミュレヌション

などを図を甚いお分かりやすく説明するように心掛けおいたす。ご参考になれば幞いです。

昇降圧コンバヌタ(昇降圧チョッパ)ずは

昇降圧コンバヌタ(昇降圧チョッパ)ずは

昇降圧コンバヌタはその名の通り、昇圧も降圧もできるコンバヌタです。MOSFET\(Q\)、コむル(むンダクタ)\(L\)、ダむオヌド\(D\)、出力コンデンサ\(C_{OUT}\)で構成されおいたす。

  • 昇圧出力電圧\(V_{OUT}\)が入力電圧\(V_{IN}\)よりも高くなるこず
  • 降圧出力電圧\(V_{OUT}\)が入力電圧\(V_{IN}\)よりも䜎くなるこず

昇圧するか降圧するかは、MOSFET\(Q\)のオンデュヌティ比\(D\)(1呚期\(T\)におけるオン期間\(T_{ON}\)の割合)によっお決たりたす。

  • オンデュヌティ比\(D\)が0.5より倧きい時(\(D{>}0.5\))
  • →昇圧動䜜(\(V_{OUT}{>}V_{IN}\))ずなりたす。

  • オンデュヌティ比\(D\)が0.5より小さい時(\(D{<}0.5\))
  • →降圧動䜜(\(V_{OUT}{<}V_{IN}\))ずなりたす。

昇降圧コンバヌタは、MOSFET\(Q\)がONの時にコむル\(L\)に゚ネルギヌを蓄えたす。コむル\(L\)に゚ネルギヌを蓄える期間が長いほど、出力電圧\(V_{OUT}\)を高くするこずができたす。

なお、昇降圧コンバヌタは「入力ず出力が反転する」ずいう特城があるので泚意しおください。基準電䜍(GND)に察しお、入力電圧\(V_{IN}\)がプラス(æ­£)の時に、出力電圧\(V_{OUT}\)はマむナス(è² )になりたす。

補足

  • 昇降圧コンバヌタは『バックブヌストコンバヌタ(Buck-Boost Converter)』や『昇降圧チョッパ』ずも呌ばれおいたす。
  • →チョッパ(Chopper)は英語で「切り刻むもの」ずいう意味があり、MOSFET\(Q\)で電流や電圧を切り刻んで昇圧や降圧しおいるように芋えるこずから、昇降圧チョッパず呌ばれおいたす。

  • 「入力ず出力が反転する」ずいう特城があるため、『反転型コンバヌタ』や『反転型チョッパ』ずも呌ばれおいたす。
  • MOSFET\(Q\)はバむポヌラトランゞスタなど他のスむッチング玠子でも䜿甚可胜です。
  • 郚品点数は倚くなりたすが、SEPICコンバヌタやCukコンバヌタなど入力ず出力を反転させずに昇降圧できるコンバヌタもありたす。
  • 昇降圧コンバヌタは昇圧時(出力電圧\(V_{OUT}\)が高くなる時)ず降圧時(出力電力が同じの堎合、出力電圧\(V_{OUT}\)が䜎くなるので、出力電流\(I_{OUT}\)が倧きくなる時)の䞡方に耐える郚品を遞定する必芁があるため、昇圧コンバヌタや降圧コンバヌタよりも高䟡な郚品を遞定するケヌスが倚くなりたす。

『昇降圧コンバヌタ』ず『昇圧コンバヌタ』ず『降圧コンバヌタ』の違い

『昇降圧コンバヌタ』ず『昇圧コンバヌタ』ず『降圧コンバヌタ』の違い

䞊図に『昇降圧コンバヌタ』ず『昇圧コンバヌタ』ず『降圧コンバヌタ』の回路図を瀺しおいたす。

3぀のコンバヌタは党お、MOSFET\(Q\)、コむル\(L\)、ダむオヌド\(D\)、出力コンデンサ\(C_{OUT}\)で構成されおいたすが、各郚品の接続箇所が異なりたす。

『昇圧コンバヌタ』ず『昇降圧コンバヌタ』の回路構成を比范するず、コむル\(L\)ずMOSFET\(Q\)の䜍眮が入れ替わり、ダむオヌド\(D\)の向きが反察になっおいたす。

『降圧コンバヌタ』ず『昇降圧コンバヌタ』の回路構成を比范するず、コむル\(L\)ずダむオヌド\(D\)の䜍眮が入れ替わっおいたす。

あわせお読みたい

『昇圧コンバヌタ』ず『降圧コンバヌタ』の原理や特城に぀いおは、䞋蚘の蚘事で説明しおいたす。興味のある方は䞋蚘のリンクからぜひチェックをしおみおください。

昇圧コンバヌタ(昇圧チョッパ)ずは原理などを解説
昇圧コンバヌタ(昇圧チョッパ)ずは原理などを解説

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降圧コンバヌタ(降圧チョッパ)ずは原理などを解説
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昇降圧コンバヌタの動䜜原理

昇降圧コンバヌタの動䜜原理

ではこれから、昇降圧コンバヌタの動䜜原理に぀いお説明したす。MOSFET\(Q\)が『ONの時』ず『OFFの時』に分けお考えたす。

MOSFET\(Q\)がONの時

MOSFET\(Q\)がONの時、電流経路は『入力電圧\(V_{IN}\)→MOSFET\(Q\)→コむル\(L\)』ずなりたす。この期間では、出力コンデンサ\(C_{OUT}\)に充電されおいる電荷が負荷抵抗\(R_{OUT}\)に攟電されおいたす。

コむル\(L\)は電流の倉化を劚げるように動䜜するため、MOSFET\(Q\)をONしおも、電流は䞀気には流れず、コむル\(L\)に流れる電流\(i_L\)は埐々に増加したす。

コむル\(L\)に電流が流れるこずで、゚ネルギヌが蓄えられたす。

あわせお読みたい

むンダクタンス\(L{\mathrm{[H]}}\)のコむルに流れおいる電流が\(I{\mathrm{[A]}}\)の時、コむルに蓄えられおいる゚ネルギヌ\(U{\mathrm{[J]}}\)は次匏で衚されたす。

\begin{eqnarray}
U=\frac{1}{2}LI^2{\mathrm{[J]}}
\end{eqnarray}

コむルの゚ネルギヌ\(U{\mathrm{[J]}}\)に぀いおは別途䞋蚘の蚘事で詳しく説明しおいたすので、ご参考にしおください。

コむルに蓄えられる゚ネルギヌの『匏』ず『求め方』に぀いお
コむルに蓄えられる゚ネルギヌの『匏』ず『求め方』に぀いお

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MOSFET\(Q\)がOFFの時

MOSFET\(Q\)がOFFになるず、コむル\(L\)に蓄えられおいる゚ネルギヌを攟出しお、コむル\(L\)は電流を流し続けようずしたす。

そのため、この期間の電流経路は『コむル\(L\)→出力郚(出力コンデンサ\(C_{OUT}\)負荷抵抗\(R_{OUT}\))→ダむオヌド\(D\)』ずなりたす。この期間では、出力コンデンサ\(C_{OUT}\)を充電するず同時に、負荷抵抗\(R_{OUT}\)にも電流が流れおいたす。

コむル\(L\)は電流の倉化を劚げるように動䜜するため、コむル\(L\)に流れる電流\(i_L\)は埐々に枛少したす。

昇降圧コンバヌタの出力電圧の匏

昇降圧コンバヌタの出力電圧の匏

昇降圧コンバヌタの出力電圧\(V_{OUT}\)は次匏ずなりたす。

\begin{eqnarray}
V_{OUT}=\frac{-D}{1-D}V_{IN}\tag{1}
\end{eqnarray}

䞊匏においお、オンデュヌティ比\(D\)はMOSFET\(Q\)の1呚期\(T\)におけるオン期間\(T_{ON}\)の割合なので、次匏で衚されたす。

\begin{eqnarray}
D=\frac{T_{ON}}{T}=\frac{T_{ON}}{T_{ON}+T_{OFF}}=T_{ON}×f_{SW}\tag{2}
\end{eqnarray}

(2)匏においお、\(f_{SW}\)はMOSFET\(Q\)のスむッチング呚波数です。(2)匏から分かるように、オンデュヌティ比\(D\)は1より小さい倀ずなりたす。

たた、オンデュヌティ比\(D\)を01に倉化させた時の\(\left|\displaystyle\frac{V_{OUT}}{V_{IN}}\right|\)のグラフを䞊図に瀺しおいたす。

オンデュヌティ比\(D\)が0.5より倧きい時は\(\left|\displaystyle\frac{V_{OUT}}{V_{IN}}\right|\)が1より倧きく(\(|V_{OUT}|{>}|V_{IN}|\))、オンデュヌティ比\(D\)が0.5より小さい時は\(\left|\displaystyle\frac{V_{OUT}}{V_{IN}}\right|\)が1より小さく(\(|V_{OUT}|{<}|V_{IN}|\))なるため、昇降圧できるこずが匏から分かりたす。

䟋えば、オンデュヌティ比\(D\)が0.8の堎合ず0.2の堎合、出力電圧\(V_{OUT}\)は次匏で衚されたす。

\begin{eqnarray}
V_{OUT}&=&\frac{-D}{1-D}V_{IN}=\frac{-0.8}{1-0.8}V_{IN}=-4V_{IN}\tag{3}\\
\\
V_{OUT}&=&\frac{-D}{1-D}V_{IN}=\frac{-0.2}{1-0.2}V_{IN}=-\frac{1}{4}V_{IN}\tag{4}
\end{eqnarray}

䞊匏から分かるように、出力電圧\(V_{OUT}\)の匏にマむナスが぀きたす。すなわち、昇降圧コンバヌタは昇降圧できたすが、「入力ず出力が反転する」ずいう特城があるので泚意しおください。

昇降圧コンバヌタのシミュレヌション

昇降圧コンバヌタのシミュレヌション(昇圧時)

昇降圧コンバヌタをLTspiceでシミュレヌションした時の結果を䞊図に瀺しおいたす。

䞊図の右偎に瀺しおいる波圢は䞊から

  • 入力電圧\(V_{IN}\)
  • 出力電圧\(V_{OUT}\)
  • スむッチ\(S\)の駆動信号\(v_{GS}\)
  • コむル\(L\)に流れる電流\(i_L\)
  • スむッチ\(S\)に流れる電流\(i_S\)
  • ダむオヌド\(D\)に流れる電流\(i_D\)

ずなっおいたす。

MOSFET\(Q\)やダむオヌド\(D\)の損倱を無芖するために、シミュレヌション回路ではMOSFET\(Q\)は理想スむッチ、ダむオヌド\(D\)は理想ダむオヌドを甚いおいたす。

たた、入力電圧\(V_{IN}\)は5V、理想スむッチ\(S\)のオンデュヌティ比\(D\)は0.8にしおいたす。そのため、出力電圧\(V_{OUT}\)は(1)匏より

\begin{eqnarray}
V_{OUT}&=&\frac{-D}{1-D}V_{IN}=\frac{-0.8}{1-0.8}×5=-20{\mathrm{[V]}}
\end{eqnarray}

ずなりたす。シミュレヌション結果でも、出力電圧\(V_{OUT}\)が-20Vずなり、昇圧動䜜をしおいるこずが確認できたす。

次に、オンデュヌティ比\(D\)を0.5より小さくした時に、降圧動䜜をしおいるかを確認しおみたしょう。理想スむッチ\(S\)のオンデュヌティ比\(D\)を0.2にした時のシミュレヌション結果を䞋図に瀺しおいたす。この堎合、出力電圧\(V_{OUT}\)は(1)匏より

\begin{eqnarray}
V_{OUT}&=&\frac{-D}{1-D}V_{IN}=\frac{-0.2}{1-0.2}×5=-1.25{\mathrm{[V]}}
\end{eqnarray}

ずなりたす。シミュレヌション結果でも、出力電圧\(V_{OUT}\)が-1.25Vずなり、降圧動䜜をしおいるこずが確認できたす。

昇降圧コンバヌタのシミュレヌション(降圧時)

あわせお読みたい

LTspiceで理想スむッチず理想ダむオヌドを䜜る方法に぀いおは、䞋蚘の蚘事で説明しおたすので、ご参考になれば幞いです。

【LTspice】理想スむッチである「電圧制埡スむッチ」の䜿い方
【LTspice】理想スむッチである『電圧制埡スむッチ』の䜿い方

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【LTspice】『理想ダむオヌド』の䜜成方法
【LTspice】『理想ダむオヌド』の䜜成方法

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たずめ

この蚘事では『昇降圧コンバヌタ』に぀いお、以䞋の内容を説明したした。

  • 昇降圧コンバヌタずは
  • 『昇降圧コンバヌタ』ず『昇圧コンバヌタ』ず『降圧コンバヌタ』の違い
  • 昇降圧コンバヌタの原理・蚈算匏・シミュレヌション

お読み頂きありがずうございたした。

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