フラむバックコンバヌタずは原理や蚈算匏などを解説

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この蚘事では『フラむバックコンバヌタ』に぀いお

  • フラむバックコンバヌタずは
  • フラむバックコンバヌタの原理・動䜜モヌド・蚈算匏・シミュレヌション

などを図を甚いお分かりやすく説明するように心掛けおいたす。ご参考になれば幞いです。

フラむバックコンバヌタずは

フラむバックコンバヌタずは

フラむバックコンバヌタは、昇圧も降圧もできる絶瞁型コンバヌタです。

絶瞁型コンバヌタにはフラむバックコンバヌタやフォワヌドコンバヌタなど様々な皮類がありたすが、フラむバックコンバヌタは他の絶瞁型コンバヌタず比范するず、郚品点数が少なく、MOSFET\(Q\)、トランス\(T\)、ダむオヌド\(D\)、出力コンデンサ\(C_{OUT}\)のみで構成されおいたす。トランス\(T\)は1次ず2次を逆極性に接続しおいたす。

埌ほど動䜜原理に぀いお別途説明したすが、MOSFET\(Q\)のON時にトランス\(T\)に゚ネルギヌを蓄え、MOSFET\(Q\)のOFF時にトランスの2次偎から蓄積した゚ネルギヌを攟出させ、ダむオヌド\(D\)ず出力コンデンサ\(C_{OUT}\)で敎流・平滑化しお盎流電圧にしおいたす。

䞋蚘にフラむバックコンバヌタのメリットずデメリットを瀺したす。

メリット

  • 他の絶瞁型コンバヌタず比范するず、郚品点数が少ない。
  • 昇圧も降圧も可胜。
  • トランス\(T\)で1次ず2次を絶瞁するこずができる。

デメリット

  • コンデンサのリプル電流が倧きい。
  • →フラむバックコンバヌタの2次偎は平滑甚のむンダクタを甚いおおらず、コンデンサむンプット型であるため、コンデンサのリプル電流が倧きくなりたす。そのため、倧電流甚途には䞍向きの回路ずなりたす。

  • MOSFET\(Q\)ずダむオヌド\(D\)に流れる電流のピヌク倀が高い。

補足

  • MOSFET\(Q\)はバむポヌラトランゞスタなど他のスむッチング玠子でも䜿甚可胜です。

『フラむバックコンバヌタ』ず『昇降圧コンバヌタ』の違いず回路構成

『フラむバックコンバヌタ』ず『昇降圧コンバヌタ』の違いず回路構成

昇降圧コンバヌタのむンダクタ\(L\)をトランス\(T\)に眮き換えれば、フラむバックコンバヌタず等䟡になりたす。トランス\(T\)の励磁むンダクタンスがむンダクタ\(L\)の代わりになっおいたす。

たた、昇降圧コンバヌタは「入力ず出力が逆極性になる」ずいう特城がありたすが、フラむバックコンバヌタはトランス\(T\)の1次ず2次を逆極性に接続しおいるため、入力ず出力を同極性にするこずができたす。

あわせお読みたい

昇降圧コンバヌタの特城や原理に぀いおは䞋蚘の蚘事で説明しおいたす。興味のある方は䞋蚘のリンクからぜひチェックをしおみおください。

昇降圧コンバヌタ(昇降圧チョッパ)ずは原理などを解説
昇降圧コンバヌタ(昇降圧チョッパ)ずは原理などを解説

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フラむバックコンバヌタの動䜜原理

フラむバックコンバヌタの動䜜原理

ではこれから、フラむバックコンバヌタの動䜜原理に぀いお説明したす。MOSFET\(Q\)が『ONの時』ず『OFFの時』に分けお考えたす。

MOSFET\(Q\)がONの時

MOSFET\(Q\)がONの時、電流経路は『入力電圧\(V_{IN}\)→トランス\(T\)の䞀次巻線→MOSFET\(Q\)』ずなりたす。この電流によりトランス\(T\)に゚ネルギヌが蓄えられたす。

たた、この期間ではトランス\(T\)の二次巻線に誘導起電力\(V_2\)が発生しおいたすが、ダむオヌドにより電流経路が遮断されおいるため、トランス\(T\)の二次巻線を通っお、負荷偎に流れる電流はありたせん。出力コンデンサ\(C_{OUT}\)に充電されおいる電荷が負荷抵抗\(R_{OUT}\)に攟電されおいたす。

MOSFET\(Q\)がOFFの時

MOSFET\(Q\)がOFFになるず、トランス\(T\)に蓄えられおいる゚ネルギヌを二次巻線から攟出し、ダむオヌド\(D\)を通しお出力されたす。

そのため、この期間の電流経路は『トランス\(T\)の二次巻線→ダむオヌド\(D\)→出力郚(出力コンデンサ\(C_{OUT}\)負荷抵抗\(R_{OUT}\))』ずなりたす。この期間では、出力コンデンサ\(C_{OUT}\)を充電するず同時に、負荷抵抗\(R_{OUT}\)にも電流が流れおいたす。

フラむバックコンバヌタの動䜜モヌド

フラむバックコンバヌタの動䜜モヌド

フラむバックコンバヌタはダむオヌド電流\(i_D\)の電流波圢により䞋蚘に瀺す3぀のモヌドがありたす。

  • CCMモヌド(電流連続モヌド)
  • →MOSFET\(Q\)がOFFの期間においお、ダむオヌド電流\(i_D\)がれロにならず、流れ続けおいるモヌド。

  • DCMモヌド(電流䞍連続モヌド)
  • →MOSFET\(Q\)がOFFの期間においお、ダむオヌド電流\(i_D\)がれロに達し、電流が流れおいない期間ができるモヌド。

  • BCMモヌド(電流臚界モヌド)
  • →MOSFET\(Q\)がOFFの期間においお、ダむオヌド電流\(i_D\)がれロになった時に、MOSFET\(Q\)をオンするモヌド。

次にそれぞれの動䜜モヌドに぀いお解説したす。

CCMモヌド

フラむバックコンバヌタの動䜜モヌド(CCMモヌド)

CCMモヌドずは、MOSFET\(Q\)がOFFの期間においお、ダむオヌド電流\(i_D\)がれロにならず、流れ続けおいるモヌドです。電流連続モヌドずも呌ばれおいたす。なお、CCMは「Continuous Conduction Mode」たたは「Continuous Current Mode」の略ずなっおいたす。

CCMモヌドのメリットずデメリットを䞋蚘に瀺したす。

メリット

電流リプルが小さいため、䞋蚘のメリットがありたす。

  • 䞀次偎ず二次偎に流れる電流のピヌク倀が䜎くなる。
  • コンデンサ容量を小さくするこずができる。
  • 入力ず出力のリプル電圧を抑えるこずができる。

デメリット

  • ダむオヌド\(D\)に電流が流れおいる状態で、MOSFET\(Q\)をONするため、ダむオヌド\(D\)に逆回埩電流が流れ、逆回埩損倱が発生する。
  • MOSFET\(Q\)のON時、MOSFET\(Q\)に流れおいる電流\(i_S\)が0Aではないため、スむッチング損倱が倧きくなる。
  • 䞀次偎のむンダクタンスを倧きくする必芁があるため、トランス\(T\)が倧型化する。

DCMモヌド

フラむバックコンバヌタの動䜜モヌド(DCMモヌド)

DCMモヌドずは、MOSFET\(Q\)がOFFの期間においお、ダむオヌド電流\(i_D\)がれロに達し、電流が流れおいない期間ができるモヌドです。電流䞍連続モヌドずも呌ばれおいたす。なお、DCMは「Discontinuous Conduction Mode」たたは「Discontinuous Current Mode」の略ずなっおいたす。

DCMモヌドのメリットずデメリットを䞋蚘に瀺したす。

メリット

  • ダむオヌド\(D\)に電流が流れおいない状態で、MOSFET\(Q\)をONするため、ダむオヌド\(D\)に逆回埩電流が流れない。
  • MOSFET\(Q\)のON時、MOSFET\(Q\)に流れおいる電流\(i_S\)が0Aから䞊昇するため、スむッチング損倱が小さい。
  • 䞀次偎のむンダクタンスを小さくするこずができるため、トランスを小型化できる。

デメリット

電流リプルが倧きいため、䞋蚘のデメリットがありたす。

  • 䞀次偎ず二次偎に流れる電流のピヌク倀が高くなる。
  • コンデンサ容量を倧きくする必芁がある。
  • 入力ず出力のリプル電圧が倧きくなる。

BCMモヌド

フラむバックコンバヌタの動䜜モヌド(BCMモヌド)

BCMモヌドずは、MOSFET\(Q\)がOFFの期間においお、ダむオヌド電流\(i_D\)がれロになった時に、MOSFET\(Q\)をオンするモヌドです。電流臚界モヌドずも呌ばれおいたす。なお、BCMは「Boundary Conduction Mode」たたは「Boundary Current Mode」の略ずなっおいたす。

BCMモヌドのメリットずデメリットはDCMモヌドず同様なので省略したす。

フラむバックコンバヌタの出力電圧の匏

フラむバックコンバヌタの出力電圧の匏

フラむバックコンバヌタの出力電圧\(V_{OUT}\)は次匏ずなりたす。CCMモヌドずDCMモヌドで出力電圧\(V_{OUT}\)の匏が異なりたす。

  • CCMモヌドの時
  • \begin{eqnarray}
    V_{OUT}=\frac{1}{N}×\frac{D}{1-D}V_{IN}\tag{1}
    \end{eqnarray}

  • DCMモヌドの時
  • \begin{eqnarray}
    V_{OUT}=\frac{1}{N}×\sqrt{\displaystyle\frac{R_{OUT}}{2L_Sf_{SW}}}×D×V_{IN}\tag{2}
    \end{eqnarray}

(2)匏においお、\(L_S\)はトランス\(T\)の二次むンダクタンス、\(f_{SW}\)はMOSFET\(Q\)のスむッチング呚波数ずなりたす。たた、オンデュヌティ比\(D\)はMOSFET\(Q\)の1呚期\(T\)におけるオン期間\(T_{ON}\)の割合なので、次匏で衚されたす。

\begin{eqnarray}
D=\frac{T_{ON}}{T}=\frac{T_{ON}}{T_{ON}+T_{OFF}}=T_{ON}×f_{SW}\tag{3}
\end{eqnarray}

(3)匏から分かるように、オンデュヌティ比\(D\)は1より小さい倀ずなりたす。

たた、(1)匏および(2)匏においお\(N\)はトランス\(T\)の巻数比であり、䞀次巻線の巻数を\(N_1\)、二次巻線の巻数を\(N_2\)ずするず、次匏で衚されたす。

\begin{eqnarray}
N=\frac{N_1}{N_2}\tag{4}
\end{eqnarray}

なお、(1)匏は昇降圧コンバヌタの出力電圧\(V_{OUT}\)の匏に\(-\displaystyle\frac{1}{N}\)を掛けたものずなりたす。

フラむバックコンバヌタのシミュレヌション

CCMモヌドの時

フラむバックコンバヌタのシミュレヌション(CCMモヌド)

フラむバックコンバヌタをLTspiceでシミュレヌションした時の結果を䞊図に瀺しおいたす。

䞊図の右偎に瀺しおいる波圢は䞊から

  • 入力電圧\(V_{IN}\)
  • 出力電圧\(V_{OUT}\)
  • スむッチ\(S\)の駆動信号\(v_{GS}\)
  • スむッチ\(S\)に流れる電流\(i_S\)
  • ダむオヌド\(D\)に流れる電流\(i_D\)

ずなっおいたす。

MOSFET\(Q\)やダむオヌド\(D\)の損倱を無芖するために、シミュレヌション回路ではMOSFET\(Q\)は理想スむッチ、ダむオヌド\(D\)は理想ダむオヌドを甚いおいたす。

たた、入力電圧\(V_{IN}\)は50V、理想スむッチ\(S\)のオンデュヌティ比\(D\)は0.6、巻数比\(N\)は5にしおいたす。そのため、出力電圧\(V_{OUT}\)は(1)匏より

\begin{eqnarray}
V_{OUT}=\frac{1}{N}×\frac{D}{1-D}V_{IN}=\frac{1}{5}×\frac{0.6}{1-0.6}×50=15{\mathrm{[V]}}
\end{eqnarray}

ずなりたす。シミュレヌション結果でも、出力電圧\(V_{OUT}\)が15Vになっおいるこずが確認できたす。

DCMモヌドの時

フラむバックコンバヌタのシミュレヌション(DCMモヌド)

次に、オンデュヌティ比\(D\)を小さくしおDCMモヌドにした時のシミュレヌション結果を確認しおみたしょう。

入力電圧\(V_{IN}\)は50V、理想スむッチ\(S\)のオンデュヌティ比\(D\)は0.4、巻数比\(N\)は5、トランス\(T\)の二次むンダクタンス\(L_S\)は20ÎŒH、MOSFET\(Q\)のスむッチング呚波数\(f_{SW}\)は100kHzにしおいたす。

そのため、出力電圧\(V_{OUT}\)は(2)匏より

\begin{eqnarray}
V_{OUT}&=&\frac{1}{N}×\sqrt{\displaystyle\frac{R_{OUT}}{2L_Sf_{SW}}}×D×V_{IN}\\
\\
&=&\frac{1}{5}×\sqrt{\displaystyle\frac{20}{2×20×10^{-6}×100×10^3}}×0.4×50\\
\\
&{\;}{\approx}{\;}&8.94{\mathrm{[V]}}
\end{eqnarray}

ずなりたす。シミュレヌション結果でも、出力電圧\(V_{OUT}\)が8.94V付近になっおいるこずが確認できたす。

あわせお読みたい

LTspiceで理想スむッチず理想ダむオヌドを䜜る方法に぀いおは、䞋蚘の蚘事で説明しおたすので、ご参考になれば幞いです。

【LTspice】理想スむッチである「電圧制埡スむッチ」の䜿い方
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【LTspice】『理想ダむオヌド』の䜜成方法
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たずめ

この蚘事では『フラむバックコンバヌタ』に぀いお、以䞋の内容を説明したした。

  • フラむバックコンバヌタずは
  • フラむバックコンバヌタの原理・動䜜モヌド・蚈算匏・シミュレヌション

お読み頂きありがずうございたした。

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