トランジスタ

セルフターンオンとは、本来オフしているべきローサイドのMOSFETが誤ってオンしてしまうことです。セルフターンオンが原因となって、損失の増大・素子の発熱・効率の悪化を引き起こします。そのため、閾値電圧が高いMOSFETを使用する等でセルフターンオンの対策を行います。

インバーテッド・ダーリントントランジスタとは、異極性のトランジスタを組み合わせたものです。「準トランジスタ」や「Sziklai Pair」とも呼ばれています。

ダーリントントランジスタとは、同極性のトランジスタを組み合わせて、電流増幅率fFEを非常に大きくした回路のことです。小さいベース電流IBで大きなコレクタ電流ICを流すことが可能となります。

絶対最大定格に記載されている接合温度Tjは、トランジスタが許容できる接合部の温度の最大値であり、保存温度Tstgとは、トランジスタを安全に保存または輸送できる周囲温度の範囲です。

コレクタ損失は、コレクタ電流とコレクタエミッタ間電圧による損失です。絶対最大定格に記載されているコレクタ損失は、そのトランジスタが許容できるコレクタ損失の最大値となります。

バイポーラトランジスタでは、コレクタに流すことができる最大電流(定格電流)が規定されています。定格電流に関するものは2つあり、「コレクタ電流(直流)IC」と「コレクタ電流(パルス)ICP」があります。

トランジスタの定格電圧は、「コレクタベース間電圧VCBO」・「コレクタエミッタ間電圧VCEO」・「エミッタベース間電圧VEBO」の3つあります。この記事では各定格電圧について解説しています。

エミッタ遮断電流IEBOとは、コレクタをオープンにして、エミッタ-ベース間のPN接合に逆電圧を印加したときの漏れ電流のことを指します。漏れ電流なので理想的にはゼロが望ましいです。

バイポーラトランジスタとは、N型半導体とP型半導体がサンドイッチの構造をしている素子です。ベースに小さなベース電流を流すと、その数十～数百倍のコレクタ電流が流れる特徴を持っています。

トランジション周波数fTとは、電流増幅率hFEが1になるときの周波数です。利得帯域幅積(GB積)は、電流増幅率hFEと周波数fの積の積であり、その値はトランジション周波数fTと等しくなります。