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バイポーラトランジスタの『入力特性(IB-VBE特性)』について

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この記事ではバイポーラトランジスタの入力特性(IB-VBE特性)について詳しく説明します。

バイポーラトランジスタの『入力特性(IB-VBE特性)』とは

バイポーラトランジスタの『入力特性(IB-VBE特性)』とは
バイポーラトランジスタの入力特性(IB-VBE特性)とは、コレクタエミッタ間電圧VCEを一定とした時のベース電流IBとベースエミッタ間電圧VBEの特性のことです。

ベース(B)とエミッタ(E)間はPN接合部分となるため、ダイオードの順方向電圧特性(IF-VF特性)と同じになります。

シリコン(けい素,Si)を素材としたシリコントランジスタの場合、ベースエミッタ間電圧VBE0.6~0.8V以上になるとベース電流IBが大きく変化しゲルマニウム(Ge)を素材としたゲルマニウムトランジスタの場合、ベースエミッタ間電圧VBE0.2~0.3V以上になるとベース電流IBが大きく変化します。

なお、ダイオードの順方向電圧特性(IF-VF特性)については以下の記事で説明していますので、参考にしてください。

【ダイオードの静特性とは?】グラフの見方や特徴などを詳しく説明します!
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バイポーラトランジスタの『入力特性(IB-VBE特性)』の温度特性

バイポーラトランジスタの『入力特性(IB-VBE特性)』の温度特性
バイポーラトランジスタの『入力特性(IB-VBE特性)』は温度によって変わります。データシート上には、温度が-55℃、-40℃、-25℃、25℃、100℃、125度など異なる温度の時の『IC-VBE特性』が記載されています。

『入力特性(IB-VBE特性)』は温度が高くなると、特性は左側にシフトします。すなわち、温度が高くなると、同じベース電流IBを流すために必要なベースエミッタ間電圧VBEが減少します。

上図は東芝製の2SC1815の『入力特性(IB-VBE特性)』です。コレクタエミッタ間電圧VCE6V、温度が-25℃、25℃、100℃の時の特性が描かれており、温度が高くなると、特性は左側にシフトしていることが分かります。

まとめ

この記事ではバイポーラトランジスタの『入力特性(IB-VBE特性)』について、以下の内容を説明しました。

当記事のまとめ

  • バイポーラトランジスタの『入力特性(IB-VBE特性)』とは
  • バイポーラトランジスタの『入力特性(IB-VBE特性)』の温度特性

お読み頂きありがとうございました。

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