この記事ではバイポーラトランジスタの入力特性(IB-VBE特性)について詳しく説明します。
バイポーラトランジスタの『入力特性(IB-VBE特性)』とは
バイポーラトランジスタの入力特性(IB-VBE特性)とは、コレクタエミッタ間電圧VCEを一定とした時のベース電流IBとベースエミッタ間電圧VBEの特性のことです。
ベース(B)とエミッタ(E)間はPN接合部分となるため、ダイオードの順方向電圧特性(IF-VF特性)と同じになります。
シリコン(けい素,Si)を素材としたシリコントランジスタの場合、ベースエミッタ間電圧VBEが0.6～0.8V以上になるとベース電流IBが大きく変化し、ゲルマニウム(Ge)を素材としたゲルマニウムトランジスタの場合、ベースエミッタ間電圧VBEが0.2～0.3V以上になるとベース電流IBが大きく変化します。
なお、ダイオードの順方向電圧特性(IF-VF特性)については以下の記事で説明していますので、参考にしてください。 続きを見る 続きを見る
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バイポーラトランジスタの『入力特性(IB-VBE特性)』の温度特性
バイポーラトランジスタの『入力特性(IB-VBE特性)』は温度によって変わります。データシート上には、温度が-55℃、-40℃、-25℃、25℃、100℃、125度など異なる温度の時の『IC-VBE特性』が記載されています。
『入力特性(IB-VBE特性)』は温度が高くなると、特性は左側にシフトします。すなわち、温度が高くなると、同じベース電流IBを流すために必要なベースエミッタ間電圧VBEが減少します。
上図は東芝製の2SC1815の『入力特性(IB-VBE特性)』です。コレクタエミッタ間電圧VCEが6V、温度が-25℃、25℃、100℃の時の特性が描かれており、温度が高くなると、特性は左側にシフトしていることが分かります。
まとめ
この記事ではバイポーラトランジスタの『入力特性(IB-VBE特性)』について、以下の内容を説明しました。
当記事のまとめ
- バイポーラトランジスタの『入力特性(IB-VBE特性)』とは
- バイポーラトランジスタの『入力特性(IB-VBE特性)』の温度特性
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