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可変容量ダイオードは、その名の通り静電容量(接合容量)が変化するダイオードです。バリキャップ、バラクタ、バラクタダイオードとも呼ばれています。

ガンダイオード(Gunn Diode)とは、ガン効果を利用したダイオードです。N型ガリウムひ素GaAsでのみ構成されています。「負性抵抗特性」の領域を持っています。

ダイオードには『ファストリカバリダイオード』、『ショットキーバリアダイオード』など様々な種類があります。この記事では各ダイオードの『特徴』と『記号』について説明しています。

トンネルダイオードとは、トンネル効果を応用したPN接合ダイオードです。江崎玲於奈博士の発明によるため、その名をとって『エサキダイオード』とも呼ばれています。

この記事ではフライバックコンバータのRCDスナバ回路について『設計方法』と『損失』について図を用いて分かりやすく説明しています。

フライバックコンバータのRCDスナバ回路はトランスのリーケージインダクタンスに発生するサージ電圧(スパイクノイズ)をクランプするために接続されています。

この記事では「はんだの種類」について詳しく説明しています。はんだには「共晶はんだ」、「高温はんだ」、「低温はんだ」、「ステンレス用はんだ」など様々な種類があります。

『鉛フリーはんだ』とは、その名の通り、鉛(Pb)を含まないはんだのことを指します。成分は主にスズ(Sn)を用いています。一般的な鉛フリーはんだの融点は約217度となっており、共晶はんだの融点(約183度)と比較して約40度高くなっています。

ドロスははんだ槽の表面に浮いているはんだの酸化物です。ドロスの発生が多くなると、ドロスがはんだ噴流の中に混じるため、基板のはんだ不良を引き起こす可能性があります。そのため、へら状の治具等を用いて、はんだ槽からドロスを除去する必要があります。

セルフターンオンとは、本来オフしているべきローサイドのMOSFETが誤ってオンしてしまうことです。セルフターンオンが原因となって、損失の増大・素子の発熱・効率の悪化を引き起こします。そのため、閾値電圧が高いMOSFETを使用する等でセルフターンオンの対策を行います。