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電力の単位である[W(ワット)]と電力量の単位である[J(ジュール)]と[Wh(ワットアワー)]の意味と違いについて説明しています。

MOSFETの許容損失とは、チャネル温度が絶対最大定格に達する時の消費電力です。この記事では『許容損失の理論式』や『PD-TC特性(電力軽減曲線)』について説明しています。

MOSFETはゲート(G)に電圧を印加すると、ドレイン(D)からソース(S)にドレイン電流IDが流れますが、このドレイン電流IDには上限(定格電流)があります。

過電流保護には逆L字垂下特性、フの字特性、ヘの字特性など様々な特性の種類があります。また、過電流保護時の動作として、自動復帰型やラッチ型などがあります。

MOSFETのデータシートには入力容量Ciss・出力容量Coss・帰還容量Crssが記載されています。これらの容量はスイッチング性能に影響を与える重要なパラメータとなっています。

トランスのコアロスは温度によって変化します。トランスのコア温度が温度TPを超えると、「コアロス増加→発熱→コアロス増加→発熱→・・・」という熱暴走が起きます。

ローレンツ力とは、荷電粒子が磁場中を運動するときに受ける力です。ローレンツ力の公式は『F=qvB』であり、『フレミングの左手の法則』を用いて向きを調べます。

ビオ・サバールの法則とは、電流Iが流れている導体の微小部分が作る磁界の強さを表した法則です。磁界の向きは右ネジの法則で求めます。

ホール効果とは、電流が流れている物体(半導体など)に対して、電流に垂直な磁場をかけると、電流と磁場の両方に垂直な向きに電位差が生じる現象です。

トランスは組み立てが終わると、絶縁材料であるワニスの入ったタンクに浸し、トランス内部や絶縁紙内部にワニスを浸透させ、硬化させるワニス含侵工程があります。