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この記事では『トランジスタ(MOSFET)』と『リレー』の違いについて 『トランジスタ(MOSFET)』と『リレー』の回路記号と違い などを図を用いて分かりやすく説明するように心掛けています。ご参考に ...

材質に導電性ポリマーを用いたPTCサーミスタである『ポリスイッチ』。回路の過電流や加熱を保護する素子ですが、具体的にはどのような素子なのでしょうか？ 基本構造や保護する原理、そしてヒューズとの違いなど ...

Xコンデンサは1次側に接続されているコンデンサです。 そのため、Xコンデンサには電源系統で発生するサージ電圧が直接印可されます。 よって、このサージ電圧に耐えることができるXコンデンサを使用しなければ ...

面積の大きい基板を半田槽に流すとき、熱により基板が反る可能性があります。それを防止するのがノーランドバーです。ではこれから説明します。 ノーランドバーがないとき 面積の大きい基板を半田槽に流すとき、半 ...

スルーホール、ランド、ビア・・・ これらの用語は基板に関する用語です。 でも一体、基板において『スルーホール』と『ランド』と『ビア』はどこを指しているのでしょうか？またこれらの用語の違いは何なのでしょ ...

MOSFETのゲートとソースには抵抗(ゲートソース間抵抗と呼ばれます)が接続されているのをよく見かけます。でも一体この抵抗は何のために接続されているのでしょうか？とりあえず、おまじないとして10kΩを ...

【発明が解決しようとする課題】では、【背景技術】で挙げた『従来技術』の問題点を記載した後に、『あなたの発明』の目的を説明します。『従来技術』と『あなたの発明』の構成や手法の違いを見つけ、『従来技術』で ...

【背景技術】はあなたの発明に関連する従来技術を事前に審査官に説明することで、審査官の理解の助けをするとともに、あなたの発明の進歩性や新規性をアピールするためにあります。今回はこの【背景技術】の書き方に ...

トランスには、漏れインダクタンスと励磁インダクタンスがあります。分割巻きトランスの場合、コアのギャップの位置を調整することで漏れインダクタンスを調整することができます。 分割巻きトランスとは 分割巻き ...

コンバータに過電流が流れると回路内の素子が破損する可能性があります。そのため、過電流を流さないようにするために保護をする必要があります。その保護の方式としてパルスバイパルス方式とラッチ方式などがありま ...