電子部品

MOSFETはゲート(G)に電圧を印加すると、ドレイン(D)からソース(S)にドレイン電流IDが流れますが、このドレイン電流IDには上限(定格電流)があります。

MOSFETのデータシートには入力容量Ciss・出力容量Coss・帰還容量Crssが記載されています。これらの容量はスイッチング性能に影響を与える重要なパラメータとなっています。

トランスのコアロスは温度によって変化します。トランスのコア温度が温度TPを超えると、「コアロス増加→発熱→コアロス増加→発熱→・・・」という熱暴走が起きます。

トランスは組み立てが終わると、絶縁材料であるワニスの入ったタンクに浸し、トランス内部や絶縁紙内部にワニスを浸透させ、硬化させるワニス含侵工程があります。

可変容量ダイオードは、その名の通り静電容量(接合容量)が変化するダイオードです。バリキャップ、バラクタ、バラクタダイオードとも呼ばれています。

ガンダイオード(Gunn Diode)とは、ガン効果を利用したダイオードです。N型ガリウムひ素GaAsでのみ構成されています。「負性抵抗特性」の領域を持っています。

ダイオードには『ファストリカバリダイオード』、『ショットキーバリアダイオード』など様々な種類があります。この記事では各ダイオードの『特徴』と『記号』について説明しています。

トンネルダイオードとは、トンネル効果を応用したPN接合ダイオードです。江崎玲於奈博士の発明によるため、その名をとって『エサキダイオード』とも呼ばれています。

セルフターンオンとは、本来オフしているべきローサイドのMOSFETが誤ってオンしてしまうことです。セルフターンオンが原因となって、損失の増大・素子の発熱・効率の悪化を引き起こします。そのため、閾値電圧が高いMOSFETを使用する等でセルフターンオンの対策を行います。

チップ抵抗の硫化とは、チップ抵抗器の内部抵抗(銀:Ag)と空気中の硫黄成分が反応して、絶縁体である硫化銀(Ag2O)が生成する現象です。この硫化よって、内部電極が断線する可能性があります。